半导体光电杂志介绍
半导体光电杂志是由中国电子科技集团有限公司主管、重庆光电技术研究所主办的专业性学术期刊,自1976年创刊以来,以双月刊的形式定期出版,确保读者能够及时接触到电子领域的最新动态和研究成果,为电子界提供了一个深入探讨和交流的平台,促进知识的共享与思想的碰撞。该杂志的H指数为25,立即指数0.0093,引用半衰期3.7727,期刊他引率0.8906,平均引文率8.4444,这些指标综合体现了该杂志在学术出版领域的表现和对知识传播的重要贡献。半导体光电致力于将最新的电子政策解读、电子理论与实践以及电子成果转化案例分析等前沿内容呈现给广大读者。作为自然科学与工程技术领域内的综合类期刊,读者对象为以从事电子的科研、教学的高、中级人员,研究生,以及相关专业的电子工作者为主要读者对象。本刊主要栏目设有动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用等栏目。本刊已被收录于北大期刊(中国人文社会科学期刊)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、CA 化学文摘(美)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏,反映了本刊在学术领域内的卓越地位和影响力。欢迎来自不同学科背景的作者投稿,共同推动期刊电子领域的研究与发展。
半导体光电历史收录
北大中文核心期刊
1992
1996
2000
2004
2008
2011
2014
2017
2020
中国科学引文数据库
2011-2012
2013-2014
注:历史收录信息可以反映一个期刊的学术声誉和影响力,通常历史悠久、收录质量高的期刊更受学术界的认可。
年度影响因子、发文量、被引次数统计
年度被引次数报告(学术成果产出及被引变化趋势)
2014
2015
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022
本刊文章发表的年份
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
在2014年本刊引用次数
23
80
76
51
60
60
38
53
他刊引用次数
12
22
20
15
11
10
4
3
累积被引百分比
0.0383
0.1714
0.2978
0.3827
0.4825
0.5824
0.6456
0.7338
本刊文章发表的年份
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
在2015年本刊引用次数
6
67
109
67
55
45
48
42
他刊引用次数
0
22
28
11
13
6
4
6
累积被引百分比
0.0094
0.1141
0.2844
0.3891
0.475
0.5453
0.6203
0.6859
本刊文章发表的年份
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
在2016年本刊引用次数
6
57
75
70
53
52
27
44
他刊引用次数
2
17
13
11
12
7
2
0
累积被引百分比
0.0102
0.1073
0.2351
0.3543
0.4446
0.5332
0.5792
0.6542
本刊文章发表的年份
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
在2017年本刊引用次数
18
81
78
100
57
61
39
22
累积被引百分比
0.0276
0.1518
0.2715
0.4248
0.5123
0.6058
0.6656
0.6994
本刊文章发表的年份
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
在2018年本刊引用次数
10
76
112
95
65
60
35
33
他刊引用次数
2
15
14
18
8
10
6
8
累积被引百分比
0.0149
0.1278
0.2942
0.4354
0.5319
0.6211
0.6731
0.7221
本刊文章发表的年份
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
在2019年本刊引用次数
17
87
110
119
56
49
41
22
累积被引百分比
0.0247
0.1512
0.311
0.484
0.5654
0.6366
0.6962
0.7282
本刊文章发表的年份
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
在2020年本刊引用次数
22
118
124
72
73
26
33
20
累积被引百分比
0.0323
0.2056
0.3877
0.4934
0.6006
0.6388
0.6872
0.7166
本刊文章发表的年份
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
在2021年本刊引用次数
13
156
150
86
70
49
33
38
累积被引百分比
0.0169
0.2201
0.4154
0.5273
0.6185
0.6823
0.7253
0.7747
本刊文章发表的年份
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
在2022年本刊引用次数
17
103
187
113
65
44
17
26
累积被引百分比
0.023
0.1622
0.4149
0.5676
0.6554
0.7149
0.7378
0.773
发文分析
一级发文领域名称 |
发文量 |
电子电信 |
4042 |
自动化与计算机技术 |
680 |
理学 |
547 |
机械工程 |
296 |
电气工程 |
183 |
一般工业技术 |
113 |
航空宇航科学技术 |
36 |
动力工程及工程热物理 |
32 |
化学工程 |
26 |
经济管理 |
19 |
二级发文领域名称 |
发文量 |
电子电信 / 物理电子学 |
2944 |
电子电信 / 信息与通信工程 |
827 |
电子电信 / 通信与信息系统 |
677 |
理学 / 物理 |
416 |
自动化与计算机技术 / 控制科学... |
373 |
自动化与计算机技术 / 检测技术... |
352 |
自动化与计算机技术 / 计算机科... |
305 |
自动化与计算机技术 / 计算机应... |
266 |
机械工程 / 光学工程 |
241 |
理学 / 光学 |
189 |
注:期刊的一级和二级发文领域是期刊定位和学术分类的重要工具。一级发文领域通常指的是期刊所覆盖的最广泛的学术领域或学科类别。这些领域通常是非常广泛的,涵盖了多个子学科和研究方向。二级发文领域是指在一级领域之下更为具体的学科或研究方向。它们是一级领域的细分。二级领域通常更加专注于特定的研究主题或问题,反映了期刊更细致的学术定位。
半导体光电期刊文献
-
微片激光器移频回馈成像技术及其应用
关键词:激光回馈 自混合干涉 激光成像 层析成像;
-
基于最优子集回归的光纤陀螺变温零偏补偿
关键词:光纤陀螺 最优子集回归 零偏补偿 温度 相关性;
-
三结GaAs电池损伤对输出特性的影响研究
关键词:三结GaAs电池 损伤 电学特性 光电转换效率;
-
电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究
关键词:PERC电池 LID效应 铸造单晶硅 电注入退火 电学性能;
-
基于高反射率DBR薄膜的倒装LED电极结构优化设计
关键词:倒装LED 分布式布拉格反射镜 双金属层电极 环形叉指 平均反射率;
-
晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响
关键词:氮化铟 各向异性 负微分迁移率 耿氏二极管;
-
钨纳米颗粒填充法制作X射线吸收光栅
关键词:X射线 相衬成像 吸收光栅 纳米颗粒 钨;
-
膜层参数对长周期光纤光栅传感灵敏度的影响
关键词:长周期光纤光栅 模式耦合理论 薄膜厚度 薄膜折射率 传感灵敏度;
-
高精度纳秒强电磁脉冲集成光学电场传感器性能分析
关键词:集成光学传感器 电场传感器 纳秒电磁脉冲测量 领结天线;
-
脊位于窄边的四种加载介质波导传输特性的有限元计算
关键词:脊位于窄边 介质加载 主模截止波长 单模带宽 矢量有限元法;
半导体光电杂志 在线订阅 正版保障
出版周期:双月刊;所属类别:自然科学与工程技术
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