半导体技术杂志介绍
半导体技术杂志是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的专业性学术期刊，自1976年创刊以来，以月刊的形式定期出版，确保读者能够及时接触到电子领域的最新动态和研究成果，为电子界提供了一个深入探讨和交流的平台，促进知识的共享与思想的碰撞。该杂志的H指数为22，立即指数0.0356，引用半衰期3.625，期刊他引率0.8215，平均引文率6.5067，这些指标综合体现了该杂志在学术出版领域的表现和对知识传播的重要贡献。半导体技术致力于将最新的电子政策解读、电子理论与实践以及电子成果转化案例分析等前沿内容呈现给广大读者。作为自然科学与工程技术领域内的综合类期刊，读者对象为以从事电子的科研、教学的高、中级人员，研究生，以及相关专业的电子工作者为主要读者对象。本刊主要栏目设有趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术等栏目。本刊已被收录于北大期刊(中国人文社会科学期刊)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、CA 化学文摘(美)、SA 科学文摘(英)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、Pж(AJ) 文摘杂志(俄)、剑桥科学文摘、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏，反映了本刊在学术领域内的卓越地位和影响力。欢迎来自不同学科背景的作者投稿，共同推动期刊电子领域的研究与发展。
半导体技术历史收录
北大中文核心期刊
1992
1996
2000
2004
2008
2011
2014
2017
2020
中国科学引文数据库
2011-2012
2013-2014
2015-2016
2017-2018
注：历史收录信息可以反映一个期刊的学术声誉和影响力，通常历史悠久、收录质量高的期刊更受学术界的认可。
年度影响因子、发文量、被引次数统计
年度被引次数报告(学术成果产出及被引变化趋势)
2014
2015
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022
本刊文章发表的年份
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
在2014年本刊引用次数
5
38
52
57
63
68
56
48
累积被引百分比
0.0088
0.0753
0.1664
0.2662
0.3765
0.4956
0.5937
0.6778
本刊文章发表的年份
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
在2015年本刊引用次数
13
31
51
54
57
59
66
65
累积被引百分比
0.0205
0.0695
0.1501
0.2354
0.3254
0.4186
0.5229
0.6256
本刊文章发表的年份
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
在2016年本刊引用次数
10
49
48
57
45
48
60
43
他刊引用次数
2
13
14
10
4
3
8
5
累积被引百分比
0.0178
0.105
0.1904
0.2918
0.3719
0.4573
0.5641
0.6406
本刊文章发表的年份
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
在2017年本刊引用次数
17
45
52
45
47
51
45
47
他刊引用次数
6
10
8
12
15
3
5
1
累积被引百分比
0.028
0.102
0.1875
0.2615
0.3388
0.4227
0.4967
0.574
本刊文章发表的年份
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
在2018年本刊引用次数
16
52
54
36
39
33
46
41
累积被引百分比
0.0277
0.1176
0.2111
0.2734
0.3408
0.3979
0.4775
0.5484
本刊文章发表的年份
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
在2019年本刊引用次数
16
59
67
49
47
40
32
41
他刊引用次数
6
16
19
10
6
7
4
5
累积被引百分比
0.0258
0.1208
0.2287
0.3076
0.3833
0.4477
0.4992
0.5652
本刊文章发表的年份
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
在2020年本刊引用次数
13
78
69
72
39
48
32
26
他刊引用次数
8
21
19
13
18
7
10
7
累积被引百分比
0.0189
0.1323
0.2326
0.3372
0.3939
0.4637
0.5102
0.548
本刊文章发表的年份
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
在2021年本刊引用次数
19
69
107
70
59
30
37
20
他刊引用次数
3
18
28
21
23
8
7
4
累积被引百分比
0.0288
0.1335
0.2959
0.4021
0.4917
0.5372
0.5933
0.6237
本刊文章发表的年份
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
在2022年本刊引用次数
9
79
68
71
51
48
37
20
累积被引百分比
0.0137
0.1335
0.2367
0.3445
0.4219
0.4947
0.5508
0.5812
发文分析
| 一级发文领域名称 |
发文量 |
| 电子电信 |
6443 |
| 自动化与计算机技术 |
775 |
| 经济管理 |
704 |
| 电气工程 |
268 |
| 理学 |
151 |
| 一般工业技术 |
114 |
| 机械工程 |
111 |
| 文化科学 |
75 |
| 交通运输工程 |
45 |
| 化学工程 |
41 |
| 二级发文领域名称 |
发文量 |
| 电子电信 / 物理电子学 |
3384 |
| 电子电信 / 微电子学与固体电子... |
1618 |
| 电子电信 / 电路与系统 |
677 |
| 电子电信 / 信息与通信工程 |
628 |
| 经济管理 / 产业经济 |
594 |
| 自动化与计算机技术 / 计算机科... |
534 |
| 电子电信 / 通信与信息系统 |
392 |
| 自动化与计算机技术 / 计算机系... |
384 |
| 自动化与计算机技术 / 控制科学... |
241 |
| 自动化与计算机技术 / 检测技术... |
229 |
注：期刊的一级和二级发文领域是期刊定位和学术分类的重要工具。一级发文领域通常指的是期刊所覆盖的最广泛的学术领域或学科类别。这些领域通常是非常广泛的，涵盖了多个子学科和研究方向。二级发文领域是指在一级领域之下更为具体的学科或研究方向。它们是一级领域的细分。二级领域通常更加专注于特定的研究主题或问题，反映了期刊更细致的学术定位。
半导体技术期刊文献
-
一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源
关键词：带隙基准电压源 高电源抑制比(PSRR) 低温度系数 曲率补偿 启动时间;
-
一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源
关键词：带隙基准 低功耗 曲率补偿 温度系数 模数转换器(ADC);
-
用于车载以太网物理层芯片的降压电路
关键词：物理层 开关稳压器 降压(Buck)电路 恒定导通时间控制 软启动电路;
-
Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导高效耦合的容差范围
关键词：Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导 耦合效率 双锥形耦合器 有限差分光束传播法(FD-BPM) 容差范围;
-
环栅纳米线FET自热效应及微尺度空间效应研究
关键词：环栅 垂直堆叠结构 自热效应 微尺度空间效应 纳米线;
-
130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响
关键词：浅槽隔离(STI) 金属硅化物 饱和电流 应力 版图设计;
-
覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片
关键词：微电子机械系统(MEMS) 二氧化硅 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 颗粒过滤 银纳米线;
-
用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 滤波器 C波段 一维Mason模型 空气隙 芯片;
-
一种锂离子电池管理芯片的失效定位
关键词：锂离子电池管理芯片 失效 比较器 功耗 翻转阈值;
-
基于FRD芯片准TCP电流的IGBT模块老化在线监测方法
关键词：在线监测 IGBT模块 快恢复二极管(FRD) 温度补偿点(TCP) 键合线;
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出版周期：月刊；所属类别：自然科学与工程技术
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