半导体技术杂志

Semiconductor Technology

  • 1003-353X

    国际刊号ISSN

  • 13-1109/TN

    国内刊号CN

  • 河北

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半导体技术期刊
  • 刊期

    月刊

  • 语种

    中文

  • 开本

    A4

  • 出版地区

    河北

  • 全年订价

    ¥ 316.00(RMB)

  • 总被引次数

    7023

  • H指数

    22

  • 立即指数

    0.0356

  • 引用半衰期

    3.625

  • 期刊他引率

    0.8215

  • 平均引文率

    6.5067

基本信息:
期刊名称:半导体技术
期刊级别:北大期刊统计源期刊
主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
年发文量:2255
影响因子:0.57
邮发代号:18-65
创刊时间:1976
类别:电子
主编:赵小宁
邮编:50051
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半导体技术杂志介绍

半导体技术杂志是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的专业性学术期刊,自1976年创刊以来,以月刊的形式定期出版,确保读者能够及时接触到电子领域的最新动态和研究成果,为电子界提供了一个深入探讨和交流的平台,促进知识的共享与思想的碰撞。该杂志的H指数为22,立即指数0.0356,引用半衰期3.625,期刊他引率0.8215,平均引文率6.5067,这些指标综合体现了该杂志在学术出版领域的表现和对知识传播的重要贡献。半导体技术致力于将最新的电子政策解读、电子理论与实践以及电子成果转化案例分析等前沿内容呈现给广大读者。作为自然科学与工程技术领域内的综合类期刊,读者对象为以从事电子的科研、教学的高、中级人员,研究生,以及相关专业的电子工作者为主要读者对象。本刊主要栏目设有趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术等栏目。本刊已被收录于北大期刊(中国人文社会科学期刊)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、CA 化学文摘(美)、SA 科学文摘(英)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、Pж(AJ) 文摘杂志(俄)、剑桥科学文摘、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏,反映了本刊在学术领域内的卓越地位和影响力。欢迎来自不同学科背景的作者投稿,共同推动期刊电子领域的研究与发展。

半导体技术历史收录

北大中文核心期刊 1992 1996 2000 2004 2008 2011 2014 2017 2020 中国科学引文数据库 2011-2012 2013-2014 2015-2016 2017-2018

注:历史收录信息可以反映一个期刊的学术声誉和影响力,通常历史悠久、收录质量高的期刊更受学术界的认可。

年度影响因子、发文量、被引次数统计

年度被引次数报告(学术成果产出及被引变化趋势)

2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

本刊文章发表的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2014年的被引次数

5 38 52 57 63 68 56 48

被本刊自己引用的次数

2 17 8 9 7 9 4 5

被引次数的累积百分比

0.0088 0.0753 0.1664 0.2662 0.3765 0.4956 0.5937 0.6778

本刊文章发表的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2015年的被引次数

13 31 51 54 57 59 66 65

被本刊自己引用的次数

4 7 17 6 6 5 7 9

被引次数的累积百分比

0.0205 0.0695 0.1501 0.2354 0.3254 0.4186 0.5229 0.6256

本刊文章发表的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2016年的被引次数

10 49 48 57 45 48 60 43

被本刊自己引用的次数

2 13 14 10 4 3 8 5

被引次数的累积百分比

0.0178 0.105 0.1904 0.2918 0.3719 0.4573 0.5641 0.6406

本刊文章发表的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2017年的被引次数

17 45 52 45 47 51 45 47

被本刊自己引用的次数

6 10 8 12 15 3 5 1

被引次数的累积百分比

0.028 0.102 0.1875 0.2615 0.3388 0.4227 0.4967 0.574

本刊文章发表的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2018年的被引次数

16 52 54 36 39 33 46 41

被本刊自己引用的次数

5 15 8 10 3 0 6 3

被引次数的累积百分比

0.0277 0.1176 0.2111 0.2734 0.3408 0.3979 0.4775 0.5484

本刊文章发表的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012

在2019年的被引次数

16 59 67 49 47 40 32 41

被本刊自己引用的次数

6 16 19 10 6 7 4 5

被引次数的累积百分比

0.0258 0.1208 0.2287 0.3076 0.3833 0.4477 0.4992 0.5652

本刊文章发表的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2020年的被引次数

13 78 69 72 39 48 32 26

被本刊自己引用的次数

8 21 19 13 18 7 10 7

被引次数的累积百分比

0.0189 0.1323 0.2326 0.3372 0.3939 0.4637 0.5102 0.548

本刊文章发表的年份

2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014

在2021年的被引次数

19 69 107 70 59 30 37 20

被本刊自己引用的次数

3 18 28 21 23 8 7 4

被引次数的累积百分比

0.0288 0.1335 0.2959 0.4021 0.4917 0.5372 0.5933 0.6237

本刊文章发表的年份

2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015

在2022年的被引次数

9 79 68 71 51 48 37 20

被本刊自己引用的次数

1 18 9 6 5 8 3 1

被引次数的累积百分比

0.0137 0.1335 0.2367 0.3445 0.4219 0.4947 0.5508 0.5812

发文分析

一级发文领域名称 发文量
电子电信 6443
自动化与计算机技术 775
经济管理 704
电气工程 268
理学 151
一般工业技术 114
机械工程 111
文化科学 75
交通运输工程 45
化学工程 41
二级发文领域名称 发文量
电子电信 / 物理电子学 3384
电子电信 / 微电子学与固体电子... 1618
电子电信 / 电路与系统 677
电子电信 / 信息与通信工程 628
经济管理 / 产业经济 594
自动化与计算机技术 / 计算机科... 534
电子电信 / 通信与信息系统 392
自动化与计算机技术 / 计算机系... 384
自动化与计算机技术 / 控制科学... 241
自动化与计算机技术 / 检测技术... 229

注:期刊的一级和二级发文领域是期刊定位和学术分类的重要工具。一级发文领域通常指的是期刊所覆盖的最广泛的学术领域或学科类别。这些领域通常是非常广泛的,涵盖了多个子学科和研究方向。二级发文领域是指在一级领域之下更为具体的学科或研究方向。它们是一级领域的细分。二级领域通常更加专注于特定的研究主题或问题,反映了期刊更细致的学术定位。

半导体技术期刊文献

  • 一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源 关键词:带隙基准电压源 高电源抑制比(PSRR) 低温度系数 曲率补偿 启动时间;
  • 一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源 关键词:带隙基准 低功耗 曲率补偿 温度系数 模数转换器(ADC);
  • 用于车载以太网物理层芯片的降压电路 关键词:物理层 开关稳压器 降压(Buck)电路 恒定导通时间控制 软启动电路;
  • Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导高效耦合的容差范围 关键词:Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导 耦合效率 双锥形耦合器 有限差分光束传播法(FD-BPM) 容差范围;
  • 环栅纳米线FET自热效应及微尺度空间效应研究 关键词:环栅 垂直堆叠结构 自热效应 微尺度空间效应 纳米线;
  • 130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响 关键词:浅槽隔离(STI) 金属硅化物 饱和电流 应力 版图设计;
  • 覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片 关键词:微电子机械系统(MEMS) 二氧化硅 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 颗粒过滤 银纳米线;
  • 用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器 关键词:薄膜体声波谐振器(FBAR) 滤波器 C波段 一维Mason模型 空气隙 芯片;
  • 一种锂离子电池管理芯片的失效定位 关键词:锂离子电池管理芯片 失效 比较器 功耗 翻转阈值;
  • 基于FRD芯片准TCP电流的IGBT模块老化在线监测方法 关键词:在线监测 IGBT模块 快恢复二极管(FRD) 温度补偿点(TCP) 键合线;
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